2019 年 Intel 超越三星，夺回了全球半导体市场的一哥地位，过去 27 年以来 Intel 在这个榜单上把持了 25 年之久。再下一步，Intel 还要在半导体技术上追上来，其 7nm 工艺晶体管密度就接近台积电 3nm 工艺了，5nm 节点反超几乎是板上钉钉了。
在半导体工艺节点的命名上，台积电、三星两家从 16/14nm 节点就有点跑偏了，没有严格按照 ITRS 协会的定义来走了，将节点命名变成了儿戏，Intel 在这点上倒是很老实，所以吃亏不少，实际上他们的 10nm 节点晶体管密度就有 1 亿/mm2，比三星、台积电的 7nm 还要高一点。
在 10nm 走上正轨之后，Intel 宣布他们的半导体工艺发展将回到 2 年一个周期的路线上来，2021 年就会量产 7nm 工艺，首发高性能的 Xe 架构 GPU，2022 年会扩展到更多的 CPU 等产品中。
台积电上周正式公布了 3nm 工艺的细节，该工艺晶体管密度达到了 2.5 亿/mm2，预计在 2021 年进入风险试产阶段，2022 年下半年量产。
那 Intel 7nm 及以下工艺的水平如何呢？现在还没公布官方细节，不过Intel 从 22nm 工艺到 14nm 是 2.4x 缩放，14nm 到 10nm 是 2.7x 缩放，都超过了摩尔定律的 2x 工艺缩放水平。
Intel CEO 司睿博之前提到过 7nm 工艺会会到正常缩放，那至少是 2x 到 2.4x 缩放，意味着 7nm 工艺的晶体管密度将达到 2 亿/mm2 到 2.4 亿/mm2 之间。
这样看来，如果是 2.4 亿/mm2 的水平，那 Intel 的 7nm 工艺就能达到台积电 3nm 工艺的水平，保守一点 2 亿/mm2 的话，那也非常接近了。
别忘了，7nm 之后 Intel 还会进入 5nm 节点，时间点会在 2023 年，按照 Intel 的水平，至少也是 2x 缩放，那晶体管密度至少会达到 4 亿/mm2，远远超过台积电的 3nm 工艺水平，台积电的 2nm 工艺在 2023 年之前应该没戏的。
目前的计算还是理论性的，但是只要 Intel 的工艺路线重回正轨，先进工艺上追回来并不让人意外，台积电、三星并不能小觑半导体一哥的技术实力。
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